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本发明涉及光振荡装置和记录装置。光振荡装置具有自激振荡半导体激光器，该自激振荡半导体激光器具有由GaInN/GaN/AlGaN材料制成的双量子阱分别限制异质结构，并且包括施加有负偏压的可饱和吸收体部和增益电流被注入其中的增益部；光分离单元，...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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