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本发明涉及气敏场效应晶体管及其制造方法。该晶体管包括有具有基质主表面的半导体基质。场效应晶体管此外还包括有绝缘层，它具有指向基质主表面的第一主表面，和背离基质主表面的第二主表面，其中绝缘层至少局部地盖住了基质主表面并且在栅极区部位里具有开孔...
该专利属于罗伯特·博世有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗伯特·博世有限公司授权不得商用。

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