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本实用新型涉及一种后通孔互联型圆片级MOSFET封装结构，在芯片本体（1-1）正面设置有芯片源电极（2-1）和芯片栅电极（2-2）；在芯片本体、芯片源电极和芯片栅电极正面设置有芯片表面保护层（3）；在芯片本体、芯片源电极、芯片栅电极和芯片表...
该专利属于江阴长电先进封装有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴长电先进封装有限公司授权不得商用。

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