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本发明公开了一种发光二极管外延结构及其制造方法。该发光二极管外延结构顺序包括：外延衬底、LT-GaN成核层、高温非掺杂缓冲层、P-GaN层、P-AlGaN层、阻挡扩散层、MQW发光层、InGaN电流扩展层、N-ZnO层和表面粗化的ZnO层。...该专利属于中山大学佛山研究院;佛山市中昊光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学佛山研究院;佛山市中昊光电科技有限公司授权不得商用。