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本发明公开了一种氮化物LED结构，其在电子阻挡层与P型空穴注入层之间增设一P型附加量子阱，且所述P型附加量子阱的禁带宽度大于或等于所述多量子阱有源层中的量子阱的势阱的禁带宽度，从而提高了电子与空穴的复合效率，进一步减少了多量子阱有源层中的电...
该专利属于映瑞光电科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过映瑞光电科技（上海）有限公司授权不得商用。

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