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非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法技术
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文档序号:6598091
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本发明提供了非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法,属于半导体制造领域。本结构包括硅晶圆,硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面;硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列,第二表面上设有红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路,硅晶圆上...
该专利属于北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学授权不得商用。
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