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本发明公开了一种离子注入系统，该系统包括一离子源，一质量分析磁铁，一束流扫描装置，一准直装置，一变速装置以及一制程腔；该系统还包括：一设于该质量分析磁铁与该束流扫描装置之间的直线加速器，用于利用射频电场使该预设能量范围内的离子束加速；一设于...
该专利属于上海凯世通半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海凯世通半导体有限公司授权不得商用。

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