下载宽带低电场增强反射金属介电光栅的技术资料

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一种用于1053纳米波段的宽带低电场增强反射金属介电光栅,其结构为熔融石英基底上依次分别镀上铬膜层、金膜层和熔融石英层,在熔融石英层上刻蚀矩形槽光栅,该光栅的周期为558~567纳米,占空比为0.15~0.25,刻蚀深度为620~622纳米...
该专利属于中国科学院上海光学精密机械研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院上海光学精密机械研究所授权不得商用。

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