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本发明公开了一种GaAs基InAs/GaSb超晶格1至3微米波段红外光 电探测器，该红外光电探测器由自下而上的GaAs衬底、GaAs缓冲层、 AlSb成核层、GaSb下缓冲层、AlSb/GaSb超晶格层、GaSb上缓冲层、 InAs/GaS...该专利属于汤宝;周志强;郝瑞亭;任正伟;徐应强;牛智川所有，仅供学习研究参考，未经过汤宝;周志强;郝瑞亭;任正伟;徐应强;牛智川授权不得商用。