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本申请公开了一种新型槽栅型MOSFET器件及其制造方法。所述体区与所述半导体衬底之间形成凹形界面，使得所述体区在源极金属接触下方的部分的厚度比所述体区的其他部分更小。所述凹形界面的最凹处E位于源极金属接触下方，使得反向电场聚集在最凹处。在体...
该专利属于成都芯源系统有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都芯源系统有限公司授权不得商用。

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