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本发明涉及瞬时增强原子层沉积，并且具体地提供了一种原子层沉积(ALD)系统，其中晶片被暴露于不足以在晶片上导致最大饱和ALD沉积速率的第一化学反应前驱体剂量，然后被暴露于第二化学反应前驱体剂量，其中前驱体以提供基本均匀的膜沉积的方式被分散。...
该专利属于艾克斯特朗公司所有，仅供学习研究参考，未经过艾克斯特朗公司授权不得商用。

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