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本发明涉及一种基于晶片键合的三结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池和InGaAsP单结电池，该两个电池之间通过晶片键合的方式串联在一起。其制备方法为：采用MOCVD法等依次生长形成GaInP/Ga...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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