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本发明涉及试样中的被检测物质的检测方法。该检测方法为用至少具有衬底、和在形成于所述衬底上面的第1绝缘薄膜上具有隔着规定间隔而对向设置的源极和漏极的沟道的传感器来检测试样中的被检测物质的方法。本发明通过为所述构成,可以提供具有比以往远远优异灵...该专利属于独立行政法人科学技术振兴机构所有,仅供学习研究参考,未经过独立行政法人科学技术振兴机构授权不得商用。
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本发明涉及试样中的被检测物质的检测方法。该检测方法为用至少具有衬底、和在形成于所述衬底上面的第1绝缘薄膜上具有隔着规定间隔而对向设置的源极和漏极的沟道的传感器来检测试样中的被检测物质的方法。本发明通过为所述构成,可以提供具有比以往远远优异灵...