温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，30～80℃下，将聚偏氟乙烯充分溶解于有机溶剂中，保持30～80℃，真空脱泡1～5小时；将聚偏氟乙烯溶液，流涎于不锈钢转轱上，不锈钢转轱表面温度为-10～20℃，冷却成型，再将其从轱面上剥离即为聚偏...该专利属于宜兴市高拓高分子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宜兴市高拓高分子材料有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法，30～80℃下，将聚偏氟乙烯充分溶解于有机溶剂中，保持30～80℃，真空脱泡1～5小时；将聚偏氟乙烯溶液，流涎于不锈钢转轱上，不锈钢转轱表面温度为-10～20℃，冷却成型，再将其从轱面上剥离即为聚偏...