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本发明涉及一种含有铝的氮化物中间层的制造方法、氮化物层的制造方法和氮化物半导体元件的制造方法，在利用以连续ＤＣ方式施加电压而进行的ＤＣ磁控溅射法来层积含有铝的氮化物中间层时，采用以下（１）～（３）中的至少一个条件。（１）把靶电极表面的中心与...
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