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本发明公开了一种晶体硅太阳能电池选择性发射极结构的制备方法，包括如下步骤：（ａ）制备氧化硅阻挡层；（ｂ）采用二次扩散工艺制备得到选择性发射极结构；步骤（ａ）包括如下步骤：（１）将硅片推入ＰＥＣＶＤ设备的反应腔中，腔内温度为３００～６００℃，...该专利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司授权不得商用。