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本实用新型是一种具有多上炉室的晶柱成长装置，该装置其包括：一底座、一下炉室、一升降回旋装置、及至少二上炉室。该上炉室是具有一拉晶机可执行晶柱成长工艺，且，当该上炉室完成晶柱成长工艺并等待晶柱冷却的同时，可使用另一上炉室以继续下一段晶柱成长工...
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