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本发明公开了一种非易失性存储装置，包括形成在分离的区域中具有不同尺寸并以低电压进行操作的两个或更多个电容器，所述非易失性存储装置包括：导电半导体基底，由第一导电材料形成；导电分离层，设置在导电半导体基底的至少一部分上并由与第一导电材料不同的...
该专利属于三星泰科威株式会社;成均馆大学产学协作体所有，仅供学习研究参考，未经过三星泰科威株式会社;成均馆大学产学协作体授权不得商用。

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