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横向结构ＬＥＤ芯片，包括：生长衬底、半导体外延层、透明电极、钝化层、电极。半导体外延层内部有半通槽，其底部是Ｎ－类型限制层。钝化层形成在透明电极上并且覆盖半导体外延层半通槽的侧面和底面。Ｎ－类型限制层在Ｎ－半通槽中暴露。透明电极在Ｐ－半通槽...
该专利属于金芃;彭晖所有，仅供学习研究参考，未经过金芃;彭晖授权不得商用。

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