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本申请涉及一种半导体装置的制造方法，包括：在圆片表面形成一次保护层；在一次保护层上沉积金属种子层；在金属种子层上形成再配线并在再配线的表面形成金属连接柱；在金属连接柱上焊接金属焊球；以及在具有金属连接柱和再配线的圆片表面形成二次保护层，金属...
该专利属于南通富士通微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通富士通微电子股份有限公司授权不得商用。

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