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一种氢氧共掺杂石墨烯的制备方法，涉及石墨烯薄膜制备工艺，尤其是一种氢氧共掺杂型石墨烯薄膜的制备工艺。本发明的制备方法，包括水热法合成中间体薄膜、中间体转移和对转移有中间体的衬底进行热处理工艺。本发明的工艺实现了厚度可调、电导可控、具有半导体...
该专利属于昆明物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过昆明物理研究所授权不得商用。

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