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本发明涉及一种硅基薄膜太阳电池，特指一种各层掺杂浓度和禁带宽度不同的势垒型硅基薄膜半叠层太阳电池，其结构分别为P2I2P1I1N1和P1I1N1I2N2，本发明不仅融合了叠层电池和渐变带隙薄膜电池的优点，而且相对于PIN结构，还增加了电池的...
该专利属于江苏大学所有，仅供学习研究参考，未经过江苏大学授权不得商用。

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