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本发明涉及一种制备大范围二维纳米材料石墨烯的方法，首先在单晶硅表面镀100-300纳米(nm)镍薄膜，然后利用离子注入的方式，将碳元素注入到镍薄膜中。再经过高速褪火（煺火温度在600-1000摄氏度之间，真空度为10-5至1帕（Pa），煺火...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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