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一种具有分裂阳极结构的SOI-LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。包括衬底层、埋氧层、N-基区、位于N-基区两侧的阴极区和阳极区以及位于阴极区之上的栅极区。所述阳极区被隔离槽分裂为第一阳极区和第二阳极区，但第一阳极区和第二阳极区仍保...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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