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本发明公开的晶体硅太阳能电池依次包括Al电极、背面ZnO基薄膜层、p型Si基体层、n型Si扩散层、正面ZnO基薄膜层和Ag主电极粗线。本发明的晶体硅太阳能电池具有光电转换效率高、稳定性高、工艺简单、生产成本低的优点，可以提高晶体硅太阳能电池...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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