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本发明属于存储器技术领域，具体为基于铁电薄膜的表面阻态随电畴变化的存储器及其制备方法。所述存储器包括电极以及位于所述电极之下的电阻转变存储层，所述电极由金属电极材料制成，所述电阻转变层为铁电薄膜材料。本发明存储器的结构简单，通过铁电薄膜中电...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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