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本发明属于超大规模集成电路制造技术领域，具体涉及一种超低介电常数材料薄膜及其制备方法。本发明以单环形的2,4,6,8-四乙烯基-2,4,6,8-四甲基环四硅氧烷为前驱体，采用旋涂的方法在硅衬底上形成一层前驱体薄膜；接着用紫外光对所得薄膜进行...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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