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本发明描述了将MOSFET架构与PN超级结结构相结合的半导体器件以及用于制造该器件的方法。所述MOSFET架构能够被利用包含栅极的沟槽结构制造，所述栅极被夹在顶部的厚绝缘层和沟槽底部之间。超级结结构的PN结被形成在沟槽侧壁中的n-型掺杂区域...
该专利属于仙童半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过仙童半导体公司授权不得商用。

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