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薄膜晶体管、电子设备及其制造方法技术
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文档序号:6057908
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本发明提供一种薄膜晶体管、电子设备及其制造方法。所述薄膜晶体管可以实现性能稳定。有机TFT包括:栅电极(1);活性层(3),隔着栅绝缘层(2)与所述栅电极(1)相对配置;源电极(4)和漏电极(5),它们相互分开,并且与所述活性层(3)连接。...
该专利属于索尼公司所有,仅供学习研究参考,未经过索尼公司授权不得商用。
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