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本发明涉及一种喷头装置，更具体的是一种多个气体螺旋通路的喷头，本发明还提供了一种用于化学气相沉积和/或氢化物气相外延(HVPE)沉积的方法和装置。在一个实施方式中，使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在多个基板上沉积III族氮化物膜。...
该专利属于应用材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料股份有限公司授权不得商用。

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