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一种P型中低阻硅芯载体的制作方法，本发明涉及一种P型中低阻硅芯载体的制作方法，尤其是一种用化学气相沉积方法制备高纯度多晶硅过程中，所需要的P型中低阻硅芯载体的制作方法。该方法的特点是包含以下步骤：选取高纯原料硅锭；在原料硅锭端头处钻一柱形孔...
该专利属于亚洲硅业（青海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过亚洲硅业（青海）有限公司授权不得商用。

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