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本发明公开了一种垂直于基底生长的金红石单晶超细二氧化钛纳米线阵列的制备方法。其特征在于其制备过程包括以下步骤：(a)浸涂TiO2晶种的基底的制备；(b)将涂有TiO2晶种的基底放入钛酸酯的盐酸溶液，于100～300℃进行水热反应，然后将基底...
该专利属于湘潭大学所有，仅供学习研究参考，未经过湘潭大学授权不得商用。

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