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本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹...该专利属于株洲南车时代电气股份有限公司;中国电力科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过株洲南车时代电气股份有限公司;中国电力科学研究院授权不得商用。