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一种非挥发性存储器的低压快速抹除方法，此非挥发性存储器是在半导体基底或隔离井内嵌具有控制栅极与浮接栅极的堆迭栅极结构，可通过漏极逆向偏压及变换栅极电压来产生适量热电洞进行低压快速抹除操作，另外，可通过施加正负电压于漏极、栅极及半导体基底或井...
该专利属于亿而得微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过亿而得微电子股份有限公司授权不得商用。

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