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本发明提出了一种针孔类生长缺陷的检测方法，该方法包括，首先，在半导体硅衬底上生长二氧化硅栅氧化层，然后用硝酸、氢氟酸和水的混合溶液腐蚀栅氧化层，在栅氧化层针孔类生长缺陷下方的半导体硅衬底上形成孔洞；在用去离子水冲洗所述栅氧化层表面后，通过光...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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