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本实用新型公开了属于合成半导体的水平炉技术领域的一种用于合成ＧａＡｓ半导体的水平合成炉。该合成炉由九段加热区构成，每一个加热区都是独立的，加热区之间无缝对接，无缝对接的加热区置于炉壳中形成整个合成炉加热体，各加热区的中空部分连接在一起构成炉...该专利属于北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司授权不得商用。