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磁性多层结构，例如磁性或磁阻隧穿结（ＭＴＪ）和自旋阀，具有形成为邻接并磁性耦合到自由铁磁层的磁性偏置层，以获得针对由例如热波动和杂散场导致的波动的期望稳定性。可以使用ＣＭＯＳ工艺制作具有使用该磁性偏置层的低纵横比的稳定ＭＴＪ单元，用于例如高...
该专利属于格兰迪斯股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格兰迪斯股份有限公司授权不得商用。

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