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一种电子器件，可包括不连续存储元件（６４），其位于沟槽（２２，２３）之内。该电子器件可包括具有沟槽的衬底，该沟槽具有壁和底部并且从衬底（１２）的主表面延伸。该电子器件还可包括不连续存储元件，其中该不连续存储元件的一部分至少位于该沟槽之内。该...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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