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本发明提供用于改良半导体装置的性能的材料和结构，包括ＺｎＢｅＯ合金材料、ＺｎＣｄＯＳｅ合金材料、可含有Ｍｇ以用于晶格匹配目的的ＺｎＢｅＯ合金材料和ＢｅＯ材料。ＺｎＢｅＯ合金系统中的Ｂｅ的原子分数ｘ（即，Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｂｅ↓［ｘ］Ｏ）可变化...
该专利属于莫克斯特罗尼克斯有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过莫克斯特罗尼克斯有限公司授权不得商用。

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