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本发明涉及一种硅纳米线的制备方法，包括如下步骤：在单晶体硅衬底上沉积第一二氧化硅层；光刻定义硅纳米线的宽度，刻蚀第一二氧化硅层，以刻蚀剩余的第一二氧化硅层为掩膜刻蚀单晶体硅衬底形成硅纳米线条；沉积第二二氧化硅层和氮化硅层；刻蚀氮化硅层，使刻...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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