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本发明提供一种薄型半导体装置及其制造方法，该半导体装置使金属细线的环路高度比现有的更低。本发明的半导体装置采用如下结构，即经由金属细线（５１）将半导体芯片（５４）的接合垫（５５）和电极（５３Ｂ）连接。所述金属细线（５１）从第一接合点描绘弯曲...该专利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社授权不得商用。
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本发明提供一种薄型半导体装置及其制造方法，该半导体装置使金属细线的环路高度比现有的更低。本发明的半导体装置采用如下结构，即经由金属细线（５１）将半导体芯片（５４）的接合垫（５５）和电极（５３Ｂ）连接。所述金属细线（５１）从第一接合点描绘弯曲...