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提供一种半导体器件及其制造方法。在具有形成于半导体衬底上的铁电电容器的半导体器件中，铁电电容器由下部电极、铁电膜以及上部电极构成该上部电极至少包括第一导电膜和形成在所述第一导电膜上的第二导电膜，所述第一导电膜由第一导电性贵金属氧化物构成，所...
该专利属于富士通微电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通微电子株式会社授权不得商用。

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