专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
英诺瓦莱特公司
>
使用Ⅳ族纳米颗粒在晶片基底上形成结区制造技术
>技术资料下载
下载使用Ⅳ族纳米颗粒在晶片基底上形成结区的技术资料
文档序号:5497717
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
在此披露了一种形成扩散区的方法。该方法包括在一个晶片的表面上沉积一种纳米颗粒墨以形成一个非致密的薄膜,该纳米颗粒墨具有成组的纳米颗粒,其中该纳米颗粒组中的至少一些纳米颗粒中包括掺杂剂原子。该方法还包括将非致密的薄膜加热到一个第一温度并持续第...
该专利属于英诺瓦莱特公司所有,仅供学习研究参考,未经过英诺瓦莱特公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。