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本发明提供一种光电动势装置的制造方法，无需大量追加制造工序，而可通过简单的工序形成在光电动势装置的与光入射侧电极接合的部分形成的高浓度扩散层。包括：在Ｐ型硅基板（１０１）和光的入射面侧的整个面形成按照第１浓度扩散了Ｎ型的杂质的高浓度Ｎ型扩散...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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