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本发明涉及一种采用表面微结构硅芯沉积多晶硅的方法，所述方法包括使含硅气体和氢气在表面温度为１０００－１１５０℃的具有表面微结构的硅芯上沉积并制备多晶硅，该方法与现有采用直径８ｍｍ硅芯的制造方法相比，具有初始沉积表面积大、初始沉积速率快、降低...
该专利属于中科协鑫（苏州）工业研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中科协鑫（苏州）工业研究院有限公司授权不得商用。

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