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一种多注速调管高次模式的矩形谐振腔结构，属于微波真空电子器件领域，在矩形谐振腔上下腔壁内对应ＴＭ２２０模式的４个电场峰值集中区域，设置４对漂移管头，４对漂移管头上下两两相对，中间构成互作用间隙；被冷却通道围绕着的漂移管头上开有多个用作电子注...该专利属于中国电子科技集团公司第十二研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第十二研究所授权不得商用。
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一种多注速调管高次模式的矩形谐振腔结构，属于微波真空电子器件领域，在矩形谐振腔上下腔壁内对应ＴＭ２２０模式的４个电场峰值集中区域，设置４对漂移管头，４对漂移管头上下两两相对，中间构成互作用间隙；被冷却通道围绕着的漂移管头上开有多个用作电子注...