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本发明涉及一种氮化物半导体的制造方法，其包括：控制加入了具有六方晶系晶体结构的晶种、含有氮元素的溶剂、包含周期表第１３族金属元素的原料物质及矿化剂的高压釜内的温度及压力，以使所述溶剂达到超临界状态和／或亚临界状态，从而通过氨热性法使氮化物半...
该专利属于三菱化学株式会社;国立大学法人东北大学所有，仅供学习研究参考，未经过三菱化学株式会社;国立大学法人东北大学授权不得商用。

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