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本发明公开了一种导电ｐ沟道金刚石晶格场效应晶体管（ＤＬＦＥＴ）及其制作方法，该场效应晶体管由纳米晶体金刚石组成，并且在导电沟道中具有至少大约每立方厘米１０↑［２０］原子的硼。该纳米晶体金刚石的特征可以是具有小于１μｍ的平均粒度直径，具体来说...
该专利属于阿克汗技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿克汗技术有限公司授权不得商用。

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