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本发明涉及使用包括硅物质和卤化物物质且还优选包括碳物质和氧物质的等离子蚀刻化学来选择性蚀刻层间介电层（１３０），例如氧化硅层。所述硅物质可由硅化合物（例如Ｓｉ↓［ｘ］Ｍ↓［ｙ］Ｈ↓［ｚ］）产生，其中“Ｓｉ”为硅，“Ｍ”为一个或多个卤素，“Ｈ...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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