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一种剥离晶片的再利用方法，是对以离子注入剥离法来制造ＳＯＩ晶片时附带生成的剥离晶片１７，至少施行研磨的再处理后，将剥离晶片１７作为接合晶片２１，再度在ＳＯＩ晶片制造步骤中进行再利用的方法，其特征在于：至少作为接合晶片而使用的ＣＺ晶片，是设为...
该专利属于信越半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体股份有限公司授权不得商用。

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